DRAM / 内存 / 闪存 / SSD 颗粒供应商

韩国:Samsung(三星,全球第一大 DRAM 制造商)、SK-Hynix(现代内存,2001 年更名为海力士,全球第三大 DRAM 制造商)
美国:Micron(镁光,日本 Elpida(尔必达)被镁光收购,全球第二大 DRAM 制造商)、Intel(英特尔)、Kingston(金士顿)
日本:Toshiba(东芝,由东芝和闪迪合资成立的 DRAM 制造公司)
德国:Infineon(英飞凌,旗下有奇梦达(Qimonda AG)公司,前西门子集团的半导体部门)
中国台湾:茂德力晶南亚华邦钰创晶豪力积

SSD 运行速度与主控有关,写入新数据剩余空间不足时才会擦除旧数据,擦写几次之后就会变慢,速度跟容量也有有关系,容量越大,速度相对越快;
SSD 使用寿命与颗粒有关,TLC 颗粒约 1000 次擦写寿命,MLC 颗粒约 10000 次擦写寿命,SLC  颗粒约 10 万次擦写寿命。

SSD 颗粒类型 SLC MLC TLC

SLC = Single-Level Cell ,高端产品|即 1bit/cell,单层式储存,主要有三星、海力士、美光、东芝等使用,速度快寿命长,价格超贵(约 MLC 3 倍以上的价格),一个浮动栅存储 1 个 bit 的信息,约 10 万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell,中端产品|即 2bit/cell,多层式储存,主要有东芝、Renesas、三星使用,速度一般寿命一般,价格一般,一个浮动栅存储 2 个 bit 的信息,约 3000 – 10000 次擦写寿命,容量大了一倍,寿命缩短为 1/10。

TLC = Trinary-Level Cell,低端产品|即 3bit/cell(8LC),三层式储存,速度慢寿命短,价格便宜,一个浮动栅存储 3 个 bit 的信息,约 500 – 1000 次擦写寿命,容量大了 1/2 倍,寿命缩短为 1/20。

3D NAND(多层数存储),3D NAND 是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决 2D 或者平面 NAND 闪存带来的限制。目前 64 层 3D NAND 已经问世,诸如东芝 TR200,三星 860PRO(V-NAND)采用的就是 64 层闪存颗粒。

SSD 运行速度与主控有关,写入新数据剩余空间不足时才会擦除旧数据,擦写几次之后就会变慢,速度跟容量也有有关系,容量越大,速度相对越快;
SSD 使用寿命与颗粒有关,TLC 颗粒约 1000 次擦写寿命,MLC 颗粒约 10000 次擦写寿命,SLC  颗粒约 10 万次擦写寿命。